La Cina sta cercando modi per produrre in modo indipendente la memoria ad alta larghezza di banda (HBM), una nuova generazione di chip di memoria specifici per l’AI, per raggiungere l’autosufficienza nei semiconduttori in seguito alle sanzioni degli Stati Uniti, ha riportato il South China Morning Post .
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Gli addetti del settore rivelano che potrebbe essere un’impresa difficile competere con i leader globali come SK Hynix, Samsung Electronics (OTC:SSNLF) e Micron Technology (NASDAQ:MU), ma il governo cinese è impegnato a diventare autosufficiente nelle HBM, indipendentemente dal tempo che ci vorrà.
ChangXin Memory Technologies (CXMT), il principale produttore cinese di memoria dinamica a accesso casuale (DRAM), è pronto a guidare l’iniziativa HBM, anche se potrebbe impiegare fino a quattro anni per portare alla commercializzazione dei prodotti.
Se i produttori cinesi di chip andranno avanti in quella direzione, dovranno ricorrere a tecnologie meno avanzate per fabbricare potenti chip DRAM, che sono molto richiesti a livello globale.
SK Hynix, un leader di mercato globale con una quota del 50%, ha iniziato la produzione di massa di HBM3 nel giugno 2022. La domanda di chip HBM dovrebbe aumentare di quasi il 60% nel 2023, secondo un rapporto della società di consulenza tecnologica TrendForce.
I chip HBM sono la soluzione preferita per superare le limitazioni di velocità di trasferimento della memoria dovute a vincoli di larghezza di banda.
CXMT con sede ad Hefei, valutata 14,5 miliardi di dollari e che avrebbe pianificato un’offerta pubblica iniziale quest’anno, non ha risposto a una richiesta di commento.
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